据悉，全球领先的半导体行业沉积设备供应商爱思强（Aixtron）日前表示，英国普莱思半导体（Plessey）已经订购了其AIX G5+ C 行星式反应器平台。Plessey计划使用该金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统来增加硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶片的产能，以用于下一代MicroLED应用。
AIX G5 + C MOCVD系统提供自动卡匣式（C2C）晶圆传输模块，具有两个独立的腔室配置选项，可以实现8*6英寸或5*8英寸GaN-on-Si晶圆在封闭的卡匣环境中的自动加载和移除。
爱思强表示，新反应器平台的自动化清洁技术可确保设备在每次运行时都处于清洁状态，从而有助于降低晶圆缺陷率并显著减少停机维护时间。新设备还具有更快的结束和冷却以及更高的基座卸载温度，以缩短配方时间。
AIX G5 + C反应器平台将支持Plessey使用该公司专有的GaN-on-Si技术提高其单片MicroLED研发能力的计划。
Plessey表示，其MicroLED具有极高的亮度和像素密度，并且功耗极低。这些性能特征有可能对包括LCD和OLED在内的传统显示技术的许多现有应用领域带来一定的冲击。这种MicroLED显示器融合了极高密度的RGB像素阵列以及CMOS背板，为可穿戴电子设备和头戴式显示器以及增强现实和虚拟现实系统提供极高亮度、低功率和高帧率的图像源。
