Micro LED显示技术凭借其卓越的性能表现，被誉为下一代显示技术，理论上无论是亮度，响应速度，色彩饱和度，对比度都优于今天主流的半导体显示技术。但是要发挥出这些优异的性能表现，则对与之匹配的驱动技术提出了更高的要求。
据麦沄显示公众号消息，企业已实现micro IC、micro LED的异质构成并成功点亮，预计到2025年底，将实现2000kk的MIP和500kk的D-MIP月产能释放。
麦沄显示表示，针对AR应用的micro LED近眼显示技术，由于其像素密度高（PPI>3000），因此只能采用Si-CMOS驱动背板对micro LED发光像素进行驱动。
而针对屏幕尺寸更大的中、低像素密度（PPI<600）的显示应用，12英寸的Si-CMOS背板则因成本昂贵而无法使用，从而出现了在大型玻璃基板（G10.5约10m²）上制作薄膜晶体管TFT的技术，此类通过低温多晶硅LTPS或者金属氧化物IGZO工艺制备的TFT器件，电子迁移率较低，在驱动micro LED发光芯片时也遇到全新的严峻挑战。
为了解决上述问题，micro LED行业出现了一种全新范式——基于Si-CMOS的微驱动芯片( micro IC) ，利用巨量转移技术，即可将micro LED发光芯片和micro IC一齐转移到目标载板上，这类单晶硅制程制备的CMOS器件在驱动micro LED发光芯片时比TFT器件有更好的性能表现。
2024年2月，麦沄显示开发出首款百微米以内的micro IC基础上，结合其数年开发MIP芯片所积累的巨量转移和先进封装工艺经验，率先实现micro IC和micro LED的异质构成并已成功点亮。据介绍，此类带驱动的MIP芯片（Driver-MIP）完成了MIP作为被动器件往主动器件的升级，打破过往LED显示只能应用在商业、专业显示领域的限制，为micro LED在消费应用场景开辟了一条全新路径。
麦沄显示，成立于2020年，目前已在昆山建成一条涵盖micro LED芯片、巨量转移和先进封装中试线，其开发的MIP芯片已通过全球最大的半导体显示厂商的前期验证，陆续在美国SID，北京IPC展出各类micro LED终端显示产品。产品方面，麦沄显示已开发出基于扇出式封装的03MIP，02MIP，015MIP系列，采用TGV工艺的03MIP，以及采用量子点色转换的02MIP系列产品，可为不同客户群体提供各类差异化MIP芯片。预计2025年底，企业将释放2000kk的MIP和500kk的D-MIP月产能。
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原文标题 : 2500kk/月！麦沄显示发布MIP规划
