行家说快讯：
今年以来，市场对Micro LED的关注热度持续提升，相关技术也实现了快速发展。
近日，国内外Micro LED领域又传来三则消息，涵盖资本市场、技术等。
■ Micro LED厂商麦沄显示获数千万人民币Pre-A轮融资
■ AR眼镜最佳方案？将Micro LED与先进CMOS集成
■ 鸿海携手阳明交大等，开发高色纯度InGaN红光Micro LED
01
即将实现Micro LED产品量产落地，
麦沄显示获数千万人民币Pre-A轮融资
近日，麦沄显示已完成数千万人民币Pre-A轮融资，投资方为容亿投资，星涵资本担任独家财务顾问。
资料显示，麦沄显示成立于2021年，是一家覆盖Micro LED芯片设计、开发；巨量转移方案和产品开发的创新型科技公司，致力于开发Micro LED新一代显示技术领域的核心技术与产品解决方案。
据介绍，麦沄显示即将实现Micro LED产品量产落地，并已与行业头部客户达成战略合作，星涵资本将长期陪伴麦沄显示后续融资。
02
AR眼镜最佳方案？将Micro LED与先进CMOS集成
近日，SOREN STEUDEL与MICLEDI MICRODISPLAYS发布一篇论文称，将300 mm硅基GaN LED晶圆键合到相同尺寸的CMOS背板上，是生产间距仅为几微米Micro LED显示器的最佳方法。现摘取重点如下：
当前，Micro LED用于大显示面临这巨量转移以及缺陷芯片的修复相关的挑战，规模化生产受阻。如今，当Micro LED用于AR眼镜等微显示应用时，也面临着一系列新的问题。
据介绍，制作Micro LED显示模块的一种方法是将Micro LED和CMOS-ASIC背板集成起来，通过后者控制和驱动Micro LED。该方法消除了与巨量转移相关的问题，但却遇到了一系列其他障碍。
如从使用场景来说，AR眼镜需要亮度超过1 Mnits，像素间距低于3 µm、分辨率高达2K以上、超低功耗和可接受的成本，以上这些需要在一个轻型模块中实现。
截止目前，现有的微型显示器制造方法还不能满足所有这些规范。为此，SOREN STEUDEL与MICLEDI MICRODISPLAYS称，正在开发一种实现大批量、低成本制造所需的方法。
图：具有（a）小像素与（b）窄间距阵列的平面microLED中的光输出耦合。
虽然小型化水平极具吸引力，但若要实现也存在一定的困难；因为即使是制造间距为5 µm的全高清显示屏，也会接近曝光工具的视网膜尺寸极限，这将会影响可制造性和良率。
根据文中的制造良率模型（如下图），假设红色、绿色和蓝色Micro LED并排集成，即使目标分辨率降低到每度仅40像素，也需要小于3 µm的间距才能超过50%的良率。
图：microLED-CMOS集成方案概述
另通过独立制造三种不同颜色的发射器，然后将它们与光学组合器集成在一起，可以显著放宽部分条件。这就更接近于现有彩色显示技术的良率模型被称为硅上序贯液晶显示器。
在集成方案上，采用是晶粒到晶圆的转移，即通过一次转移和放置一个像素来创建红色、绿色和蓝色发射器阵列，或者通过将整个阵列粘合为单个小芯片来实现。采用这种方式即可在固定的良率损失下，将间距缩小到10mmm。
目前，与之相关堆叠硅晶圆的生产工艺已经投入使用，将顺序 3D 结构与衬底通孔和晶圆到晶圆的混合键合相结合。后者通常用于生产间距小至3 µm的背面照明成像器，并用于研发部门，以间距小于1 µm的300 mm晶圆与小于200 nm的覆盖层结合起来。
通过集成方案，他们实现了高达65%的创纪录孔径，即在3 µm的六角形间距配置中，实现孔径为2.5 µm。我们目前的方法是用光学组合器将红色、绿色、蓝色芯片的输出汇集在一起。在红色LED上，他们也正在努力提高效率和色点。通过增强对波导集成有用的顶角内的光输出耦合并抑制该角度外的光发射，可将亮度提高2 - 4倍。
03
鸿海携手阳明交大等，开发高色纯度InGaN红光Micro LED
据鸿海研究院称，为了解决氮化铟镓（InGaN）基红光Micro LED在色彩稳定性方面的问题，中国台湾阳明交通大学（NYCU）郭浩中教授与鸿海研究院（HHRI）半导体所合作，开发了一种新型的高色纯度氮化铟镓（InGaN）基红光Micro LED，同时成功导入了用于充当滤光片的非对称分散式布拉格反射镜，有效地降低了由QCSE现象所引起的波长位移问题。
据悉，该研究是基于先前与沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）研究团队共同开发的高效率InGaN-based红光Micro LED基础上进行的，相关研究成果早于去年七月发表于国际知名光电期刊Photonics Research。
值得注意的是，该团队在解决QCSE现象所引起的波长位移问题的研究过程中，进行了三种不同DBR设计的光学特性比较，包括传统的DBR和有无经过优化的非对称式DBR。
该团队通过将计算出的光谱转换成CIE 1931色度坐标以及8位编码的RGB值，本团能够更加稳定地定量评估色彩的表现。传统的DBR会将色偏移量上升67%。这是因为光谱波纹降低了色纯度，这导致颜色从红色变为洋红色。
图一、 InGaN红色Micro LED色彩坐标
相比之下，经过厚度优化的非对称式DBR能够有效减少光谱位移的现象，在CIE1931的色彩坐标中也表现出了42%的位移量减少，证实非对称式DBR结构可以有效提高色彩稳定性，达到提高色纯度之目的。CIE 1391的色彩坐标与不同DBR结构之色彩位移关系如图二所示。
图二、结合不同DBR的InGaN红色Micro LED的CIE 1931色彩坐标
END
原文标题 : 融资、技术突破接踵而来，Micro LED又上头条
