据外媒报道，来自法国原子能总署（CEA）旗下的电子信息技术研究所（Leti）的工程师声称，他们研发的生产Micro LED的新方法将彻底颠覆高性能显示器的生产，与当前的LCD和有机LED（OLED）相比，可提供卓越的图像质量和能效设计。
Leti光子器件市场战略总监Francois Templier日前在加利福尼亚州圣何塞举行的国际信息显示学会（SID）显示周上，详细介绍了一种将发光半导体与基于硅的驱动电路相结合的新制造工艺。
对图像分辨率提出更高要求的大尺寸显示器的发展，意味着需要更快的电子设备来驱动所有显示器类型，包括三星日前推出的涵括了数百万个单独的像素发射器的新型商用Micro LED格式以及其他产品。
然而，现有基于薄膜晶体管（TFT）有源矩阵设计的驱动电路无法提供所需的电流和速度要求。Leti研发的新方法生产、由CMOS驱动的高性能GaN Micro LED显示器，采用了简化的传输工艺，无需使用传统TFT背板。在将每个单元转移到简单的接收基板之前，将红绿蓝Micro LED直接堆叠在微CMOS电路上，并且在单个半导体处理线上以晶片规模同时制造光发射器和背板。
概念证明
除了更高性能所需的更高功率和驱动速度之外，该过程还避免了目前在Micro LED和接收基板之间进行电气和机械接触所需的几个昂贵工艺。
Templier表示：“这一目前还处于概念验证阶段的新工艺，为商用高性能Micro LED显示器的开发奠定了基础。基于CMOS的方法能提供具备更高亮度和分辨率的Micro LED，将彻底颠覆大尺寸电视行业。”
Leti团队的目标领域包括智能手表以及超大尺寸电视，并表示他们开发的新方法可以解决目前准备商用的Micro LED显示器所面临的巨大难题。
该技术最近才成为高性能显示器一个潜在的新技术，并且已成为日前举行的国际信息显示学会（SID）显示周上众多会议和数十场技术讲座的主题。
此外还包括索尼、英特尔、LG显示器和三星，以及包括设备公司爱思强（Aixtron）和GaN材料开发商Allos Semiconductors等供应链公司都在此次显示周上谈及了该技术。
三星是SID年度大奖的获奖者之一。其大型模块化Micro LED显示屏（The Wall）采用了无边框设计，由数百万个自发光无机红色、绿色和蓝色微观LED芯片组成，适用于高端和企业应用。这家韩国电子巨头（三星）表示，纯黑色图像与真实色彩的结合以及Micro LED技术提供的“无与伦比的清晰度”，将推动整个行业向前发展。
