据外媒报道，来自意大利ISOF-CNR、那不勒斯费德瑞科二世大学以及摩德纳大学的研究人员日前成功开发出了基于CVD石墨烯片的新型有机n型FET晶体管（OFET）。
研究人员表示，他们所使用的新工艺和材料可以实现柔性、透明和短通道的OFET，而这种OFET可以在未来用于OLED或OLET（有机发光晶体管）显示器。
为了制造这一新的晶体管，研究人员使用PDIF-CN2（一种二烯丙基二亚胺衍生物）热蒸发薄膜作为晶体管活性通道的有机半导体，同时采用单层CVD石墨烯作为电极材料，最终通过电子束蚀刻（EBL）和反应离子蚀刻（RIE）制造出这一器件架构。
研究人员解释道，这些新型OFET充分利用了石墨烯优异的机械、光学和电学性能。目前，石墨烯在薄层电阻和透明度方面与更常用的透明电极材料（如ITO和其他碳基替代品）之间的差距越来越小。
该研究小组的下一个目标是实现高频器件，并实现石墨烯OFET在兆赫兹频率下的正常运作。
