用于生产薄膜晶体管（TFT）传统工艺的替代方案可促进用于电视机、智能电话、计算机和平板电脑LCD和OLED显示器性能的改进。
研究人员在电子迁移率为188 cm2V-1s-1的Au-Si共晶合金中，在低于600℃的缓冲钠钙玻璃上生长了晶体硅薄膜。他们使用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、拉曼光谱、横截面扫描电子显微镜（SEM）以及透射电子显微镜（TEM）对该薄膜进行了表征。表征方法证实了在缓冲钠钙玻璃上生长的高度结晶硅连续薄膜。
研究人员表示，该工艺可以取代生产用于实现大型显示器像素的TFT的低温多晶硅（LTPS）。
通常使用以下三种工艺其中的一种制造TFT：非晶硅（a-Si：H）、低温多晶硅（LTPS）、铟镓锌氧化物（IGZO）。新的研究表明，有机会取代这些过程。
样品是在美国宾汉顿大学自主太阳能中心（CASP）进行测试的。CASP主管Tara Dhakal表示：“这项研究提供了一种能提高显示质量和降低成本的方法，同时也可以改善太阳能电池等电子器件的生产。”
该研究结果已经发表在了国际期刊《Materials Letters》上。
