该研究团队设计出一套巧妙的办法，成功制备出宽度仅为40纳米的高质量石墨烯纳米带。此前的石墨烯纳米带边缘较为粗糙，这严重影响了其导电性，是阻碍石墨烯纳米带电子传输的一大障碍。为解决这一问题，研究人员在碳化硅晶体上切割出边缘整齐的带状凹槽，并直接在这些凹槽上制备石墨烯纳米带。在测试新制备纳米带导电性的实验中，常温下的电子迁移率超过了100万cm2/Vs（每单位电场下电子的迁移速率），是应用于计算机内存的硅半导体的1000倍（通常低于1700cm2/Vs）。
此外，新的制备方法适用于大批量规模生产，并能够保证石墨烯纳米带的结构质量，这使得石墨烯在电子领域的广泛应用成为可能。
