高品位阻挡层课题多多
NHK放送技术研究所以前利用普通OLED试制了柔性OLED显示器。如截面构造所示，各像素由像素选择用晶体管（SwTFT）、像素驱动用晶体管（DrTFT）以及普通OLED构成。基板和封装膜采用Poly-EthyleneNaphthalate（PEN）薄膜，为保护显示器内的普通OLED电子注入层和阴极不受大气中的水分和氧气影响，还形成了阻挡层。
普通OLED需要实施水蒸气透过率和氧气透过率都差不多为10-6g/m2/day级别的密封。此次虽未评价阻挡层的阻隔性能，但经过较长时间后，在大气中存放的显示器出现不发光的部分，观测到了大幅劣化的现象。估计这是因为试制的显示器缺乏足够的阻隔性的缘故。
还有报告显示，有的阻挡层具备水蒸气透过率高达10-6g/m2/day左右的高阻隔性，不过大多是采用窒化硅（SiN）等硬材料时，而在薄膜上形成阻挡层时，弯曲耐性则不明确。能否在大面积基板上形成均匀且高品位的阻挡层等也不得而知。因此，采用PEN等柔性基板的柔性显示器的长寿命化是实用化面临的最重要课题。
ITO从阳极改到阴极
作为解决该课题的对策之一，近年来不使用任何碱金属等高活性材料的“逆构造OLED（invertedOLED：iOLED）”受到了较大的关注。iOLED的电极积层构造与普通OLED相反。例如，从基板方向提取光的底部发光型iOLED是把在基板上成膜的ITO作为阴极使用，在ITO上形成EIL膜。然后在上面依次层积发光层等有机层。
采用这种构造的OLED元件有望延长显示器显示部的寿命。原因在于，底部发光型iOLED通过把ITO用作阴极，与阴极采用铝等的普通OLED相比，大幅提高了阴极的大气稳定性。
另外，如果其上层积的EIL能使用惰性材料，就可以实现耐氧和耐水的OLED元件。这个优点在柔性OLED显示器中尤其大。因为可以减少使用高阻隔性硬封装材料的必要性。
与n型TFT组合使用，动作稳定
采用iOLED还有一个很大的优点。那就是提高了采用n型TFT的有源矩阵（AM）型显示器的驱动稳定性。最近，TFT采用InGaZnOTFT的情况越来越多。InGaZnOTFT为n型，与iOLED非常匹配。
在普通的“双晶体管＋单电容器（2T＋1C）构造”以及采用底部发光型OLED元件的AM型显示器中，连接OLED元件的电极在普通OLED和iOLED之间是不同的。比如，普通OLED在阳极，而iOLED在阴极连接DrTFT。
因此，TFT采用InGaZnO等n型TFT的话，驱动电路中的OLED元件的位置在普通OLED和iOLED间也各不相同。普通OLED配置在n型TFT的接地侧，iOLED配置在栅极线侧。
流经OLED元件的电流以DrTFT源极电极和栅极电极间加载的电压（VGS）为基准。首先来看InGaZnOTFT＋普通OLED的情况。接地与DrTFT源极电极间的OLED元件的驱动电压在驱动的同时缓慢上升，因此DrTFT的电位基准——源极电极的电位也受其影响发生变化，DrTFT的VGS下降，流经OLED元件的电流减少。结果有报告显示，从OLED元件获得的亮度降低，造成烧毁等现象。
而InGaZnOTFT＋iOLED因源极电极充分接地，驱动OLED元件后VGS也不会发生变化。因此，流经OLED元件的电流能保持稳定，不会发生烧毁现象。
与ITO功函数的整合至关重要
iOLED的研究中最大的课题是，开发合适的EIL材料。把ITO作为透明阴极使用时，一般来说从ITO向有机层直接注入电子非常困难。这是因为，ITO功函数的值与接收有机层电子的能级——最低未占轨道（LUMO）之间的能差较大。ITO的功函数约为5eV，而普通OLED元件用电子运输材料的LUMO能量约为3eV，因此表面存在约2eV的电子注入势垒。
普通OLED是从ITO向HTL注入空穴，这种情况下，接收HTL空穴的能级——最高占有轨道（HOMO）的能量约为5.5eV的材料较多，与ITO功函数的能差较小。
如上所述，要想从ITO高效向有机层直接注入电子，需要合适的EIL。为寻找这种EIL材料，我们准备了多种EIL材料，评测了iOLED对各材料的特性差异。结果发现了适合iOLED的EIL材料，成功开发出了发光效率与普通OLED相同的iOLED。另外，对报告案例还比较少的iOLED的大气稳定性也进行了评测。而且试制了采用iOLED的显示器。
特性随EIL变化
改变EIL材料时的iOLED特性。采用EILI～III的iOLED分别为iOLED-I～III。发光材料采用发红色光的磷光材料Ir（piq）3。
